パウデックは独自設計のMOCVDで、フェースダウンの結晶成長を行うことができます。このため低欠陥密度の高品質な薄膜を実現いたします。サファイア基板、GaN基板、SiC基板上への成長を行ことができ、お客様のご要望に合わせて単膜から多層膜、または電子デバイスや光デバイス構造を用意することができます。お客様の研究開発のサポート、あるいは少量生産を承ります。
基板サイズは2インチ~6インチまで対応可能 パウデック独自のMOCVD
詳細はこちら
パウデックでは、分極スーパージャンクションと呼んでいる高耐圧・高電流・高速のパワートランジスタの開発に成功しました。このパワートランジスタをぜひ使ってみたい、あるいは事業化を考えていただけるお客様のサポートをさせていただきます。またお客様のオリジナル設計のデバイスも作製し供給することも可能です。例えばマイクロディスプレイ用のLEDウエーハの作製も可能ですので、お気軽にご相談をいただければ幸いです。
分極スーパージャンクショントランジスタ μLEDディスプレイ
詳細はこちら

一覧はこちら お知らせ

2018年3月17日
「第65回応用物理学会春季学術講演会」にて、「耐圧10kV超GaN-PSJ FETと 8kV超GaN-PSJ Schottky Barrier Diode」を発表しました。
2017年3月16日
「第64回応用物理学会春季学術講演会」にて、「サファイア基板上1200 V GaN分極超接合(PSJ)ダイオード」、「サファイア基板上GaN分極超接合(PSJ)FETを用いた1200 V/100 A級モジュール」、 「サファイア基板上 GaN 分極超接合(PSJ)素子を用いた降圧コンバータ」の3件を発表しました。
「サファイア基板上1200 V GaN分極超接合(PSJ)ダイオード」にて、PosterAwardを受賞しました。
2016年3月21日
「第63回応用物理学会春季学術講演会」にて、「カスコード接続したサファイア基板上GaN PSJ(分極超接合)トランジスタの1,000 Vスイッチング特性」 を発表しました。
2016年3月20日
「第63回応用物理学会春季学術講演会」にて、「大口径対向縦型MOCVD炉によるGaN/AlGaN/GaNへテロエピ成長」を発表しました。
この発表にてPosterAwardを受賞しました。

2015年8月10日
[Newsrelease] GaNパワートランジスタ、定格1,200V 級、超低コスト化に成功。GaNトランジスタがSi-IGBTの中電圧領域に進出可能であることを示しました。
ページ先頭へ戻る
copyrights(C) POWDEC all rights reserved.