パウデックは独自設計のMOCVDで、フェースダウンの結晶成長を行うことができます。このため低欠陥密度の高品質な薄膜を実現いたします。サファイア基板、GaN基板、SiC基板上への成長を行ことができ、お客様のご要望に合わせて単膜から多層膜、または電子デバイスや光デバイス構造を用意することができます。お客様の研究開発のサポート、あるいは少量生産を承ります。
基板サイズは2インチ~6インチまで対応可能 パウデック独自のMOCVD
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パウデックでは、分極スーパージャンクションと呼んでいる高耐圧・高電流・高速のパワートランジスタの開発に成功しました。このパワートランジスタをぜひ使ってみたい、あるいは事業化を考えていただけるお客様のサポートをさせていただきます。またお客様のオリジナル設計のデバイスも作製し供給することも可能です。例えばマイクロディスプレイ用のLEDウエーハの作製も可能ですので、お気軽にご相談をいただければ幸いです。
分極スーパージャンクショントランジスタ μLEDディスプレイ
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一覧はこちら お知らせ

2021年6月24日
「第7回パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会」にて「サファイア上GaN-PSJパワー素子の開発状況と課題」を発表しました。
2020年3月13日
「第67回応用物理学会春季学術講演会」にて、「6.6 kV 級ノーマリーオフ GaN-PSJ FET」を発表しました。
2019年3月14日
「省エネルギー社会に貢献するGaN材料の将来と、そのキープロセス技術」にて、「GaN PSJ(分極超接合)素子」を発表しました。
2018年9月18日
「第79回応用物理学会秋季学術講演会」にて、「1.2 kV級ノーマリーオフGaN-PSJ FET」を発表しました。
2018年3月17日
「第65回応用物理学会春季学術講演会」にて、「耐圧10kV超GaN-PSJ FETと 8kV超GaN-PSJ Schottky Barrier Diode」を発表しました。
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