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2017年3月16日
「第64回応用物理学会春季学術講演会」にて、「サファイア基板上1200 V GaN分極超接合(PSJ)ダイオード」、「サファイア基板上GaN分極超接合(PSJ)FETを用いた1200 V/100 A級モジュール」、 「サファイア基板上 GaN 分極超接合(PSJ)素子を用いた降圧コンバータ」の3件を発表しました。
「サファイア基板上1200 V GaN分極超接合(PSJ)ダイオード」にて、PosterAwardを受賞しました。
2016年3月21日
「第63回応用物理学会春季学術講演会」にて、「カスコード接続したサファイア基板上GaN PSJ(分極超接合)トランジスタの1,000 Vスイッチング特性」 を発表しました。
2016年3月20日
「第63回応用物理学会春季学術講演会」にて、「大口径対向縦型MOCVD炉によるGaN/AlGaN/GaNへテロエピ成長」を発表しました。
この発表にてPosterAwardを受賞しました。

2015年8月10日
[Newsrelease] GaNパワートランジスタ、定格1,200V 級、超低コスト化に成功。GaNトランジスタがSi-IGBTの中電圧領域に進出可能であることを示しました。
2015年3月20日
「第62回応用物理学会春季学術講演会」にて、GaN-PSJトランジスタの連続通電特性およびノーマリーオフ化の報告を行いました。
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