- 2021年6月24日
- 「第7回パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会」にて「サファイア上GaN-PSJパワー素子の開発状況と課題」を発表しました。
- 2020年3月13日
- 「第67回応用物理学会春季学術講演会」にて、「6.6 kV 級ノーマリーオフ GaN-PSJ FET」を発表しました。
- 2019年3月14日
- 「省エネルギー社会に貢献するGaN材料の将来と、そのキープロセス技術」にて、「GaN PSJ(分極超接合)素子」を発表しました。
- 2018年9月18日
- 「第79回応用物理学会秋季学術講演会」にて、「1.2 kV級ノーマリーオフGaN-PSJ FET」を発表しました。
- 2018年3月17日
- 「第65回応用物理学会春季学術講演会」にて、「耐圧10kV超GaN-PSJ FETと 8kV超GaN-PSJ Schottky Barrier Diode」を発表しました。