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ウエハ

パウデックでは、GaN、Sapphire、SiC基板上へのMOCVDによるエピ成長に対応できます。ELO(epitaxial lateral overgrowth)にも対応できます。

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特徴


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エピ層構造
エピ層 厚さ(nm) ドーパント 濃度(cm-3) Al/In組成
(例：10nm) (例：1e18cm-3) (例：0.23)
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