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ファウンダー メッセージ

ファウンダー ファウンダー 河合弘治

現在、私たちが住むこの地球は産業革命以降の爆発的なCO2の排出により、温暖化や異常気象など地球環境が大きく変わってしまいました。これから私たちができることは、エネルギーの大きな革命を図らなければならないことです。20年前に、今の環境はここまで悪化するとは思いませんでしたが、当時大企業で開発していたGaNという材料は、やがて電気エネルギーを高効率に制御できるデバイスの中核になると信じ、大企業を飛び出しパウデックを起業いたしました。この時に“GaN系半導体素子および基板の開発・生産を通じて、21世紀社会のインフラストラクチャー構築に貢献する”という企業理念をたてました。
今年で創立19年になりますが、この期間にパウデック独自の結晶成長技術やパワーエレクトロニクスのための高性能なトランジスタやダイオードの開発に成功しました。ここまでこれたのもパウデックをごひいきにしていただけたお客様のお陰です。心からお礼を申し上げます。
さてパウデックの経営を若い世代にバトンタッチをすることを考え、代表取締役を成井啓修に任せることにいたしました。今後は彼の経営の元、パウデックはさらなるお客様の事業をサポートさせていただくことになると思いますので、引き続きごひいきのほどよろしくお願い申し上げます。

社長 メッセージ

代表取締役 代表取締役 成井啓修

このたび、株式会社パウデックの代表取締役社長に就任いたしました成井啓修でございます。
パウデックの全社員とともに、お客様や株主の皆様、お取引先の企業の皆様にとって、より価値があり魅力のある会社を目指して全力を尽くしてまいります。先代の河合弘治元代表取締役社長と同様皆様のご指導ご鞭撻のほどよろしくお願いいたします。 
パウデックでは、企業理念として"GaN系半導体素子インフラストラクチャーおよび基板の開発・生産を通じて、21世紀社会の構築に貢献する"を掲げ活動を行ってきました。今後もこの企業理念をベースに、“環境にも人にも優しい再生可能エネルギーの未来を支えるためのキーデバイスやキーテクノロジーを開発するリーディングカンパニーとなる”をビジョンとし、邁進してまいります。パウデックは独自のMOCVD結晶成長技術(市販の装置と比べてウエーハダストが少ない結晶性の高い成長を行うことができる)を保有し、GaN系電子デバイスから光デバイスまでの開発及び少量生産を行なえるインフラがあります。特にGaN系電子デバイスでは、高耐圧・高電流容量・高速・放射線耐量を可能にするパワートランジスタ技術(PSJ)があって、今後パワーデバイスの事業を考えるお客様の技術サポートをさせていただきたいと考えております。またPSJ以外のGaN系電子デバイスあるいはGaN系発光デバイスを事業化させようとお考えのお客様の開発もサポートさせて頂きます。さらにパウデックではお客様のご要望に合わせて、テンプレート基板の販売もいたします。ぜひGaN系の結晶成長およびプロセスのご要望があれば、何なりとお申し付けください。お客様の事業発展に貢献させていただければ幸いです。

会社概要

名 称 株式会社 パウデック
所 在 地 <本社および工場>
〒323-0028 栃木県小山市若木町1-23-15
TEL:0285-22-9986、 FAX:0285-22-9987
業務内容 窒化ガリウム系半導体エピ基板の開発および生産
GaN結晶成長
・ AlGaN/GaN GaN-HEMT基板
・ GaN/サファイア GaN-テンプレート基板
・ AlGaN/サファイア 紫外線センサ基板
窒化ガリウム系パワーデバイス開発受託
・ パワートランジスタ、パワーダイオード
資 本 金 50百万円
設 立 2001年5月15日
役 員 代表取締役   成井 啓修
取 締 役   河合 弘治
取 締 役   八木 修一
取 締 役   荻野 正浩<古河機械金属株式会社 取締役>
監 査 役   名塚 龍己<古河機械金属株式会社 取締役>
監 査 役   山口 栄一<京都大学 名誉教授>
取 引 銀 行 三菱東京UFJ銀行、みずほ銀行、足利銀行
主要取引先 半導体メーカー、研究機関、大学

役員紹介

代表取締役社長 成井 啓修

代表取締役社長
工学博士成井 啓修

慶應義塾大学大学院理工学研究科電気工学専攻修士課程 修了後、
1987年:ソニー株式会社入社
中央研究所に配属後、セミコンダクタデバイス開発部門、UIデバイス開発部門等にて、化合物半導体開発部の統括部長を務める。マルチビームレーザ、2波長レーザ、青/緑色レーザなどを開発。
1997年:慶應義塾大学理工学研究科にて博士(工学)の学位取得。
2018年:ソニー株式会社退職し、株式会社パウデック入社。
2020年4月: 株式会社パウデック 代表取締役就任。

技術最高取締役 ファウンダー 河合 弘治

技術最高取締役 ファウンダー
工学博士河合 弘治

静岡大学工学部卒
1969年:ソニー株式会社入社 中央研究所で、ZnS系蛍光体の開発、GaAs系半導体のMOCVD及びデバイス開発、GaN系半導体のMOCVD及びデバイス開発。 主幹研究員
1991年:静岡大学電子工学研究科にて博士(工学)の学位取得。
2001年:ソニー株式会社退職し、株式会社パウデックを設立
     代表取締役
2011年:PSJダイオード、PSJトランジスタ開発
2020年4月: 株式会社パウデック ファンダー
       最高技術取締役就任

取締役 八木 修一

取締役
理学博士八木 修一

2000年:明星大学大学院理工学研究科物理学 理学博士取得
2001年:明星大学 先端材料研究開発センター ポスドク
2001年:産業技術総合研究所 光電子制御デバイスグループ
     客員研究員
2003年:産業技術総合研究所
     パワーエレクトロニクス研究センター 非常勤職員
2009年:株式会社パウデックに入社
2018年:株式会社パウデック 取締役就任

取締役 荻野 正浩

取締役
荻野 正浩

監査役 山口 栄一

監査役
理学博士山口 栄一

1979年:東京大学大学院理学系研究科物理学専攻 理学博士取得
1979年~1998年:NTT基礎研究所 主幹研究員
  この間に米国ノートルダム大学客員研究員、
  IMRA Europe招聘研究員
~2003年 21世紀政策研究所研究主幹
2001年:株式会社パウデックを河合氏と創業し取締役に就任
2013年~2014年:同志社大学大学院教授
  この間に英国ケンブリッジ大学クレアホール客員フェロー
2014年:京都大学大学院思修館教授
2020年:京都大学産官学連携本部特任教授・京都大学名誉教授 
     株式会社パウデック監査役

監査役 名塚 龍己

監査役
名塚 龍己

沿革

2019年2月
資本金50百万円(無償減資)
2013年10月
シリコン基板上でのGaN成膜による新型高耐圧トランジスタ新聞発表
2013年5月
栃木県小山市へ本店移転
2013年4月
NEDO「イノベーション実用化ベンチャー支援事業」着手
2012年7月
200mm径窒化ガリウム結晶成長装置(MOVCD)稼働開始
2012年2月
6kV高耐圧 GaN分極超接合ヘテロ構造トランジスタ新聞発表
2011年8月
NEDO省エネルギー革新技術開発(助成金)事業着手
「高耐圧・省エネ型窒化ガリウムパワーショットキーダイオード」
2011年3月
新型構造(分極超接合ヘテロ構造)トランジスター新聞発表
2011年2月
経産省「レアアース利用産業設備導入事業」着手
「ガリウムを低減したパワーダイオード量産事業」
2010年11月
GaN縦型ダイオード新聞発表
2010年3月
栃木県小山市へ事業所移設完了
2007年12月
資本金768百万円 古河機械金属(株)と資本・業務提携
2004年12月
資本金268百万円 ベンチャーキャピタル資本参加
2001年12月
神奈川県茅ケ崎市に工場開設
2001年11月
(株)アルバックと業務提携
2001年5月
会社設立 資本金56百万円
本店 神奈川県横浜市

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