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メッセージ

代表 代表取締役 河合弘治

当社が取り組んでおりますGaN半導体電子デバイスは、省エネ、省体積、高温、耐放射線に秀でた特性を持ち、21世紀社会に必須なデバイスであると認識されております。
GaN半導体電子デバイスは、例えば、1.モーター制御、2.情報処理装置電源、3.電気自動車、4.自然エネルギー発電、5.無線電力伝送、等のパワーエレクトロニクスの電力変換効率を劇的に高め、省エネルギー社会の実現に貢献します。

当社は企業理念として、
"GaN系半導体素子および基板の開発・生産を通じて、21世紀社会のインフラストラクチャー構築に貢献する" を掲げてGaN半導体の結晶成長からパワー電子素子まで一貫して開発を行っております。
当社技術陣は、GaNの結晶成長に10数年のキャリアを積んでおり、また、GaNパワー半導体素子については独自の技術を有しております。

当社は、GaN半導体関連の研究開発・製造を行うお客様にGaNエピタキシャル基板を開発しご提供いたします。 当社は、GaN電子素子の開発・製造を意図しておられる事業者様と、エピタキシャル基板レベルから素子まで、パートナーシップの基に連携してGaN電子素子の実用化に貢献してまいります。

会社概要

名 称 株式会社 パウデック
所 在 地 <本社および工場>
〒323-0028 栃木県小山市若木町1-23-15
TEL:0285-22-9986、 FAX:0285-22-9987
業務内容 窒化ガリウム系半導体エピ基板の開発および生産
・ AlGaN/GaN HEMT基板
・ GaN/サファイア テンプレート基板
・ AlGaN/サファイア 紫外線センサ基板
窒化ガリウム系パワーデバイス開発受託
・ パワートランジスタ、パワーダイオード
資 本 金 98百万円
設 立 2001年5月15日
役 員 代表取締役   河合 弘治
取締役     森田 悦男
社外取締役   山口 栄一
社外取締役   岩田 穂
取 引 銀 行 三菱東京UFJ銀行、みずほ銀行、足利銀行
主要取引先 半導体メーカー、研究機関、大学

沿革

2013年10月
シリコン基板上でのGaN成膜による新型高耐圧トランジスタ新聞発表
2013年5月
資本金98百万円(無償減資)、栃木県小山市へ本店移転
2013年4月
NEDO「イノベーション実用化ベンチャー支援事業」着手
2012年7月
200mm径窒化ガリウム結晶成長装置(MOVCD)稼働開始
2012年2月
6kV高耐圧 GaN分極超接合ヘテロ構造トランジスタ新聞発表
2012年2月
資本金918百万円、設備投資資金3億円増資 
2011年8月
NEDO省エネルギー革新技術開発(助成金)事業着手
「高耐圧・省エネ型窒化ガリウムパワーショットキーダイオード」
2011年3月
新型構造(分極超接合ヘテロ構造)トランジスター新聞発表
2011年2月
経産省「レアアース利用産業設備導入事業」着手
「ガリウムを低減したパワーダイオード量産事業」
2010年11月
GaN縦型ダイオード新聞発表
2010年3月
栃木県小山市へ事業所移設完了
2007年12月
資本金768百万円 古河機械金属(株)と資本・業務提携
2004年12月
資本金268百万円 ベンチャーキャピタル資本参加
2001年12月
神奈川県茅ケ崎市に工場開設
2001年11月
(株)アルバックと業務提携
2001年5月
会社設立 資本金56百万円
本店 神奈川県横浜市

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